货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥3.796462 | ¥9491.16 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 5.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 47.1 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMTH6005LK3Q-13
型号:DMTH6005LK3Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥3.796462 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00