NSV40302PDR2G

制造商 onsemi

商标 onsemi

晶体管极性 NPN, PNP

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 40 V, - 40 V

集电极—基极电压 40 V, - 40 V

发射极 - 基极电压 6 V, - 7 V

饱和电压 82 mV, - 135 mV

最大直流电集电极电流 3 A, - 3 A

耗散功率 653 mW

增益带宽产品 100 MHz

集电极连续电流 3 A

直流集电极 150

直流电流增益（Max） 230

技术 Si

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 72 mg