ZXT12P12DXTA

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

晶体管极性 PNP

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) - 12 V

集电极—基极电压 - 20 V

发射极 - 基极电压 7.5 V

饱和电压 - 150 mV

最大直流电集电极电流 3 A

耗散功率 870 mW

增益带宽产品 85 MHz

集电极连续电流 - 3 A

直流集电极 300 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 3 A, 2 V, 20 at 12 A, 2 V

直流电流增益（Max） 300 at 10 mA, 2 V

技术 Si

高度 0.95 mm

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 140 mg