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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 82 ns
典型接通延迟时间 37 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SIS415DNT-T1-GE3
型号:SIS415DNT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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