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SI2304BDS-T1-E3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI2304BDS-T1-E3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 0.875755 2627.26
6000 0.83939 5036.34
9000 0.755394 6798.55
30000 0.7442 22326.00
75000 0.699491 52461.82

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 2.6 A

漏源电阻 70 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 2.6 nC

耗散功率 750 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 15 ns

正向跨导(Min) 6 S

上升时间 12.5 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 19 ns

典型接通延迟时间 7.5 ns

外形参数

高度 1.45 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI2304BDS-T1-BE3 SI2304BDS-E3

单位重量 8 mg

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SI2304BDS-T1-E3

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型号:SI2304BDS-T1-E3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥0.875755
6000+: ¥0.83939
9000+: ¥0.755394
30000+: ¥0.7442
75000+: ¥0.699491

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