货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.875755 | ¥2627.26 |
6000 | ¥0.83939 | ¥5036.34 |
9000 | ¥0.755394 | ¥6798.55 |
30000 | ¥0.7442 | ¥22326.00 |
75000 | ¥0.699491 | ¥52461.82 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 2.6 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 12.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2304BDS-T1-BE3 SI2304BDS-E3
单位重量 8 mg
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0SI2304BDS-T1-E3
型号:SI2304BDS-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.875755 |
6000+: | ¥0.83939 |
9000+: | ¥0.755394 |
30000+: | ¥0.7442 |
75000+: | ¥0.699491 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00