货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.309949 | ¥16.31 |
10 | ¥14.530681 | ¥145.31 |
100 | ¥11.331707 | ¥1133.17 |
500 | ¥9.361166 | ¥4680.58 |
1000 | ¥7.390381 | ¥7390.38 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 2.83 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 46.7 nC
耗散功率 65.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 72 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SIJ150DP-T1-GE3
型号:SIJ150DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.309949 |
10+: | ¥14.530681 |
100+: | ¥11.331707 |
500+: | ¥9.361166 |
1000+: | ¥7.390381 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.31