SI8483DB-T2-E1
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- 制造商编号：
- SI8483DB-T2-E1
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.657176 | ￥7.66 |
| 10 | ￥6.515089 | ￥65.15 |
| 100 | ￥4.868147 | ￥486.81 |
| 500 | ￥3.825475 | ￥1912.74 |
| 1000 | ￥2.95606 | ￥2956.06 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 65 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 10 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 128.380 mg
SI8483DB-T2-E1 同类别型号
注
SI8483DB-T2-E1品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI8483DB-T2-E1
数据手册PDF。
SI8483DB-T2-E1
型号：SI8483DB-T2-E1
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.657176 |
| 10+： | ￥6.515089 |
| 100+： | ￥4.868147 |
| 500+： | ￥3.825475 |
| 1000+： | ￥2.95606 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.66