货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.550013 | ¥15.55 |
10 | ¥12.726131 | ¥127.26 |
100 | ¥9.894785 | ¥989.48 |
500 | ¥8.386807 | ¥4193.40 |
1000 | ¥6.831929 | ¥6831.93 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 55.5 A
漏源电阻 8.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
购物车
0SISS30LDN-T1-GE3
型号:SISS30LDN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.550013 |
10+: | ¥12.726131 |
100+: | ¥9.894785 |
500+: | ¥8.386807 |
1000+: | ¥6.831929 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.55