SISS30LDN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISS30LDN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 80V 55.5A PP 1212-8S
- 渠道：
- digikey
库存 ：28946
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.829263 | ￥17.83 |
| 10 | ￥14.591469 | ￥145.91 |
| 100 | ￥11.345117 | ￥1134.51 |
| 500 | ￥9.616106 | ￥4808.05 |
| 1000 | ￥7.833323 | ￥7833.32 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 55.5 A
漏源电阻 8.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 37 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SISS30LDN-T1-GE3 同类别型号
注
SISS30LDN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SISS30LDN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISS30LDN-T1-GE3
型号：SISS30LDN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：28946 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.829263 |
| 10+： | ￥14.591469 |
| 100+： | ￥11.345117 |
| 500+： | ￥9.616106 |
| 1000+： | ￥7.833323 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.83