
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.142207 | ¥17.14 |
| 10 | ¥15.342984 | ¥153.43 |
| 25 | ¥14.558126 | ¥363.95 |
| 100 | ¥10.918595 | ¥1091.86 |
| 250 | ¥10.814608 | ¥2703.65 |
| 500 | ¥9.254809 | ¥4627.40 |
| 1000 | ¥7.539029 | ¥7539.03 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 890 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 34 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0TK6P65W,RQ
型号:TK6P65W,RQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.142207 |
| 10+: | ¥15.342984 |
| 25+: | ¥14.558126 |
| 100+: | ¥10.918595 |
| 250+: | ¥10.814608 |
| 500+: | ¥9.254809 |
| 1000+: | ¥7.539029 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.14