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TK6P65W,RQ

Toshiba(东芝)
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制造商编号:
TK6P65W,RQ
制造商:
Toshiba(东芝)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
渠道:
digikey

库存 :1990

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 14.950789 14.95
10 13.381573 133.82
25 12.69705 317.43
100 9.522787 952.28
250 9.432095 2358.02
500 8.071697 4035.85
1000 6.575258 6575.26

规格参数

关键信息

制造商 Toshiba

商标名 DTMOSIV

商标 Toshiba

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 5.8 A

漏源电阻 890 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 11 nC

耗散功率 60 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 4 ns

上升时间 14 ns

典型关闭延迟时间 45 ns

典型接通延迟时间 34 ns

外形参数

高度 2.3 mm

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 330 mg

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TK6P65W,RQ

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型号:TK6P65W,RQ

品牌:Toshiba

供货:锐单

库存:1990 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥14.950789
10+: ¥13.381573
25+: ¥12.69705
100+: ¥9.522787
250+: ¥9.432095
500+: ¥8.071697
1000+: ¥6.575258

货期:7-10天

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单价:¥0.00总价:¥14.95