货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.950789 | ¥14.95 |
10 | ¥13.381573 | ¥133.82 |
25 | ¥12.69705 | ¥317.43 |
100 | ¥9.522787 | ¥952.28 |
250 | ¥9.432095 | ¥2358.02 |
500 | ¥8.071697 | ¥4035.85 |
1000 | ¥6.575258 | ¥6575.26 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 890 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 34 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0TK6P65W,RQ
型号:TK6P65W,RQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.950789 |
10+: | ¥13.381573 |
25+: | ¥12.69705 |
100+: | ¥9.522787 |
250+: | ¥9.432095 |
500+: | ¥8.071697 |
1000+: | ¥6.575258 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.95