货期: 8周-10周
起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥32.934528 | ¥329.35 |
100 | ¥23.50728 | ¥2350.73 |
200 | ¥17.971776 | ¥3594.36 |
500 | ¥15.404544 | ¥7702.27 |
800 | ¥13.987728 | ¥11190.18 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.7 ns
正向跨导(Min) 168 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 16.6 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 300 mg
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0CSD16401Q5
型号:CSD16401Q5
品牌:TI
供货:锐单
单价:
10+: | ¥32.934528 |
100+: | ¥23.50728 |
200+: | ¥17.971776 |
500+: | ¥15.404544 |
800+: | ¥13.987728 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00