货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.618974 | ¥4856.92 |
6000 | ¥1.519304 | ¥9115.82 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 23.9 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 550 mV
栅极电荷 3.6 nC
耗散功率 2.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0CSD25310Q2
型号:CSD25310Q2
品牌:TI
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.618974 |
6000+: | ¥1.519304 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00