货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥35.58534 | ¥35.59 |
10 | ¥31.915601 | ¥319.16 |
100 | ¥25.649862 | ¥2564.99 |
500 | ¥21.073934 | ¥10536.97 |
1000 | ¥19.158008 | ¥19158.01 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.7 ns
正向跨导(Min) 168 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 16.6 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 300 mg
购物车
0CSD16401Q5
型号:CSD16401Q5
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥35.58534 |
10+: | ¥31.915601 |
100+: | ¥25.649862 |
500+: | ¥21.073934 |
1000+: | ¥19.158008 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥35.59