TK6P65W,RQ
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TK6P65W,RQ
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：1990
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 5.8 A
漏源电阻 890 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 34 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
TK6P65W,RQ 同类别型号
注
TK6P65W,RQ品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TK6P65W,RQ
数据手册PDF
。
TK6P65W,RQ
型号：TK6P65W,RQ
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：1990 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00