货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.900367 | ¥7.90 |
10 | ¥6.770006 | ¥67.70 |
100 | ¥5.053804 | ¥505.38 |
500 | ¥3.970846 | ¥1985.42 |
1000 | ¥3.068381 | ¥3068.38 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 23.9 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 550 mV
栅极电荷 3.6 nC
耗散功率 2.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0CSD25310Q2
型号:CSD25310Q2
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.900367 |
10+: | ¥6.770006 |
100+: | ¥5.053804 |
500+: | ¥3.970846 |
1000+: | ¥3.068381 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.90