货期:(7~10天)
起订量:12
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
12 | ¥7.617388 | ¥91.41 |
200 | ¥6.982594 | ¥1396.52 |
500 | ¥6.3478 | ¥3173.90 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.7 ns
正向跨导(Min) 168 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 16.6 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 300 mg
购物车
0CSD16401Q5
型号:CSD16401Q5
品牌:TI
供货:锐单
单价:
12+: | ¥7.617388 |
200+: | ¥6.982594 |
500+: | ¥6.3478 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00