
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥3.331416 | ¥9994.25 |
| 6000 | ¥3.244886 | ¥19469.32 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 13.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 24.5 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3L090GN
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0RQ3L090GNTB
型号:RQ3L090GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥3.331416 |
| 6000+: | ¥3.244886 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00