
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.850464 | ¥12.85 |
| 10 | ¥8.719957 | ¥87.20 |
| 100 | ¥6.007592 | ¥600.76 |
| 500 | ¥5.354973 | ¥2677.49 |
| 1000 | ¥4.808676 | ¥4808.68 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 9.1 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.05 V
栅极电荷 14.6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 45 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 118 ns
典型接通延迟时间 37 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
购物车
0CSD22206W
型号:CSD22206W
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.850464 |
| 10+: | ¥8.719957 |
| 100+: | ¥6.007592 |
| 500+: | ¥5.354973 |
| 1000+: | ¥4.808676 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.85