
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.849731 | ¥9.85 |
| 10 | ¥6.046221 | ¥60.46 |
| 100 | ¥3.873217 | ¥387.32 |
| 500 | ¥2.9331 | ¥1466.55 |
| 1000 | ¥2.63003 | ¥2630.03 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 23.9 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 550 mV
栅极电荷 3.6 nC
耗散功率 2.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0CSD25310Q2
型号:CSD25310Q2
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.849731 |
| 10+: | ¥6.046221 |
| 100+: | ¥3.873217 |
| 500+: | ¥2.9331 |
| 1000+: | ¥2.63003 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.85