货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.557066 | ¥16.56 |
10 | ¥14.839582 | ¥148.40 |
100 | ¥11.566471 | ¥1156.65 |
500 | ¥9.554911 | ¥4777.46 |
1000 | ¥7.543351 | ¥7543.35 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 13.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 24.5 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3L090GN
购物车
0RQ3L090GNTB
型号:RQ3L090GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.557066 |
10+: | ¥14.839582 |
100+: | ¥11.566471 |
500+: | ¥9.554911 |
1000+: | ¥7.543351 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.56