
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.983926 | ¥18.98 |
| 10 | ¥17.0147 | ¥170.15 |
| 100 | ¥13.261832 | ¥1326.18 |
| 500 | ¥10.955427 | ¥5477.71 |
| 1000 | ¥8.649021 | ¥8649.02 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 13.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 24.5 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3L090GN
购物车
0RQ3L090GNTB
型号:RQ3L090GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.983926 |
| 10+: | ¥17.0147 |
| 100+: | ¥13.261832 |
| 500+: | ¥10.955427 |
| 1000+: | ¥8.649021 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.98