货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.953104 | ¥18.95 |
10 | ¥17.011566 | ¥170.12 |
100 | ¥13.677438 | ¥1367.74 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 11.5 A
漏源电阻 550 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0FDB12N50TM
型号:FDB12N50TM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.953104 |
10+: | ¥17.011566 |
100+: | ¥13.677438 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.95