STL18NM60N
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- 制造商编号：
- STL18NM60N
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
- 渠道：
- digikey
库存 ：10
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥55.188031 | ￥55.19 |
| 10 | ￥49.613482 | ￥496.13 |
| 100 | ￥40.655183 | ￥4065.52 |
| 500 | ￥34.609028 | ￥17304.51 |
| 1000 | ￥33.168564 | ￥33168.56 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL18NM60N
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ II
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.1A (Ta), 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
310mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
35nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1000pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta), 110W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (8x8) HV
封装/外壳
8-PowerVDFN
STL18NM60N 同类别型号
注
STL18NM60N品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
STL18NM60N
型号：STL18NM60N
品牌：ST
供货：锐单
库存：10 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥55.188031 |
| 10+： | ￥49.613482 |
| 100+： | ￥40.655183 |
| 500+： | ￥34.609028 |
| 1000+： | ￥33.168564 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥55.19