货期: 8周-10周
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥3.759869 | ¥9399.67 |
5000 | ¥3.562073 | ¥17810.36 |
12500 | ¥3.298097 | ¥41226.21 |
25000 | ¥3.265502 | ¥81637.55 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 13 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.1 nC
耗散功率 3.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.4 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.2 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMNH6021SK3-13
型号:DMNH6021SK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥3.759869 |
5000+: | ¥3.562073 |
12500+: | ¥3.298097 |
25000+: | ¥3.265502 |
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