货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.952863 | ¥14.95 |
10 | ¥12.236426 | ¥122.36 |
100 | ¥9.519989 | ¥952.00 |
500 | ¥8.069064 | ¥4034.53 |
1000 | ¥6.573154 | ¥6573.15 |
2000 | ¥6.18787 | ¥12375.74 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 194 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5.6 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC22DN20NS3 G SP000781778
单位重量 123.670 mg
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0BSC22DN20NS3GATMA1
型号:BSC22DN20NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.952863 |
10+: | ¥12.236426 |
100+: | ¥9.519989 |
500+: | ¥8.069064 |
1000+: | ¥6.573154 |
2000+: | ¥6.18787 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.95