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BSC22DN20NS3GATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
BSC22DN20NS3GATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
渠道:
digikey

库存 :5595

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 14.952863 14.95
10 12.236426 122.36
100 9.519989 952.00
500 8.069064 4034.53
1000 6.573154 6573.15
2000 6.18787 12375.74

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 200 V

漏极电流 7 A

漏源电阻 194 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 5.6 nC

耗散功率 34 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 3 ns

正向跨导(Min) 3.5 S

上升时间 4 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 6 ns

典型接通延迟时间 4 ns

外形参数

高度 1.27 mm

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 BSC22DN20NS3 G SP000781778

单位重量 123.670 mg

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BSC22DN20NS3GATMA1

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型号:BSC22DN20NS3GATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:5595 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥14.952863
10+: ¥12.236426
100+: ¥9.519989
500+: ¥8.069064
1000+: ¥6.573154
2000+: ¥6.18787

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