货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥28.394228 | ¥28.39 |
10 | ¥23.595728 | ¥235.96 |
100 | ¥18.781109 | ¥1878.11 |
500 | ¥15.891593 | ¥7945.80 |
1000 | ¥13.483663 | ¥13483.66 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 1.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 195 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 134.400 mg
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0CSD18509Q5B
型号:CSD18509Q5B
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.394228 |
10+: | ¥23.595728 |
100+: | ¥18.781109 |
500+: | ¥15.891593 |
1000+: | ¥13.483663 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.39