
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.450456 | ¥14.45 |
| 10 | ¥12.948742 | ¥129.49 |
| 25 | ¥12.297054 | ¥307.43 |
| 100 | ¥9.221375 | ¥922.14 |
| 250 | ¥9.132688 | ¥2283.17 |
| 500 | ¥7.815713 | ¥3907.86 |
| 1000 | ¥6.366701 | ¥6366.70 |
| 2500 | ¥6.278865 | ¥15697.16 |
| 5000 | ¥5.708072 | ¥28540.36 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 14.5 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM4NB60CI
单位重量 1.700 g
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0TSM4NB60CI C0G
型号:TSM4NB60CI C0G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.450456 |
| 10+: | ¥12.948742 |
| 25+: | ¥12.297054 |
| 100+: | ¥9.221375 |
| 250+: | ¥9.132688 |
| 500+: | ¥7.815713 |
| 1000+: | ¥6.366701 |
| 2500+: | ¥6.278865 |
| 5000+: | ¥5.708072 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.45