货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥53.276712 | ¥53.28 |
10 | ¥47.833472 | ¥478.33 |
100 | ¥39.187854 | ¥3918.79 |
500 | ¥33.359543 | ¥16679.77 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
产品 OptiMOS Power
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 124 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 120 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 22 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 OptiMOS Power Transistor
零件号别名 IPB014N06N SP000917408
单位重量 1.600 g
购物车
0IPB014N06NATMA1
型号:IPB014N06NATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥53.276712 |
10+: | ¥47.833472 |
100+: | ¥39.187854 |
500+: | ¥33.359543 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥53.28