
货期: 8周-10周
起订量:2000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ¥11.43711 | ¥22874.22 |
| 6000 | ¥10.608334 | ¥63650.00 |
| 10000 | ¥10.193946 | ¥101939.46 |
| 50000 | ¥9.945314 | ¥497265.70 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0TK65S04N1L,LQ
型号:TK65S04N1L,LQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 2000+: | ¥11.43711 |
| 6000+: | ¥10.608334 |
| 10000+: | ¥10.193946 |
| 50000+: | ¥9.945314 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00