
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.231609 | ¥19.23 |
| 10 | ¥17.238768 | ¥172.39 |
| 100 | ¥13.439829 | ¥1343.98 |
| 500 | ¥11.10277 | ¥5551.39 |
| 1000 | ¥8.765435 | ¥8765.43 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 59 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 33.5 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15.7 ns
上升时间 8.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35.9 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
高度 2.39 mm
长度 6.7 mm
宽度 6.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
类型 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0DMTH6009LK3Q-13
型号:DMTH6009LK3Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.231609 |
| 10+: | ¥17.238768 |
| 100+: | ¥13.439829 |
| 500+: | ¥11.10277 |
| 1000+: | ¥8.765435 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.23