货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.703665 | ¥14.70 |
10 | ¥13.146806 | ¥131.47 |
100 | ¥10.253026 | ¥1025.30 |
500 | ¥8.470297 | ¥4235.15 |
1000 | ¥6.687078 | ¥6687.08 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 400 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP6N40D-BE3
单位重量 2 g
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0SIHP6N40D-GE3
型号:SIHP6N40D-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.703665 |
10+: | ¥13.146806 |
100+: | ¥10.253026 |
500+: | ¥8.470297 |
1000+: | ¥6.687078 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.70