货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.859373 | ¥16.86 |
10 | ¥15.074263 | ¥150.74 |
100 | ¥11.756225 | ¥1175.62 |
500 | ¥9.71213 | ¥4856.07 |
1000 | ¥7.667473 | ¥7667.47 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 400 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP6N40D-BE3
单位重量 2 g
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0SIHP6N40D-GE3
型号:SIHP6N40D-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.859373 |
10+: | ¥15.074263 |
100+: | ¥11.756225 |
500+: | ¥9.71213 |
1000+: | ¥7.667473 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.86