货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥16.773086 | ¥16.77 |
10 | ¥15.035005 | ¥150.35 |
100 | ¥11.721713 | ¥1172.17 |
500 | ¥9.683419 | ¥4841.71 |
1000 | ¥7.644882 | ¥7644.88 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 59 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 33.5 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15.7 ns
上升时间 8.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35.9 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
高度 2.39 mm
长度 6.7 mm
宽度 6.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
类型 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
单位重量 330 mg
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0DMTH6009LK3Q-13
型号:DMTH6009LK3Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.773086 |
10+: | ¥15.035005 |
100+: | ¥11.721713 |
500+: | ¥9.683419 |
1000+: | ¥7.644882 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.77