
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥37.829542 | ¥37.83 |
| 10 | ¥31.46276 | ¥314.63 |
| 100 | ¥25.04173 | ¥2504.17 |
| 500 | ¥21.189685 | ¥10594.84 |
| 1000 | ¥17.979026 | ¥17979.03 |
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 12.5 A
漏源电阻 10.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.9 ns
正向跨导(Min) 38 S
上升时间 5.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0FDD86110
型号:FDD86110
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥37.829542 |
| 10+: | ¥31.46276 |
| 100+: | ¥25.04173 |
| 500+: | ¥21.189685 |
| 1000+: | ¥17.979026 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥37.83