SIHD6N80AE-GE3
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- 制造商编号：
- SIHD6N80AE-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET E SERIES DPAK TO-252
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.56859 | ￥15.57 |
| 10 | ￥13.925239 | ￥139.25 |
| 25 | ￥13.216003 | ￥330.40 |
| 100 | ￥9.912002 | ￥991.20 |
| 250 | ￥9.817602 | ￥2454.40 |
| 500 | ￥8.401602 | ￥4200.80 |
| 1000 | ￥6.844002 | ￥6844.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 950 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 1.9 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N - Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SIHD6N80AE-GE3 同类别型号
注
SIHD6N80AE-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHD6N80AE-GE3
数据手册PDF。
SIHD6N80AE-GE3
型号：SIHD6N80AE-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.56859 |
| 10+： | ￥13.925239 |
| 25+： | ￥13.216003 |
| 100+： | ￥9.912002 |
| 250+： | ￥9.817602 |
| 500+： | ￥8.401602 |
| 1000+： | ￥6.844002 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.57