货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥15.120481 | ¥37801.20 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30.8 A
漏源电阻 87 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 240 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
上升时间 80 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 165 ns
典型接通延迟时间 120 ns
高度 0.85 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 175 mg
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0TK31V60W5,LVQ
型号:TK31V60W5,LVQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥15.120481 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00