货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥40.484555 | ¥40.48 |
10 | ¥36.388748 | ¥363.89 |
100 | ¥29.811785 | ¥2981.18 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 197 A
漏源电阻 3.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 301 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 4.7 mm
长度 9.25 mm
宽度 10.26 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.200 g
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0CSD19535KTT
型号:CSD19535KTT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥40.484555 |
10+: | ¥36.388748 |
100+: | ¥29.811785 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥40.48