货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.457681 | ¥7.46 |
10 | ¥6.356785 | ¥63.57 |
100 | ¥4.750424 | ¥475.04 |
500 | ¥3.73263 | ¥1866.32 |
1000 | ¥2.884229 | ¥2884.23 |
2000 | ¥2.62984 | ¥5259.68 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5.6 A
漏源电阻 68 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10.3 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.7 ns
正向跨导(Min) 19.7 S
上升时间 10.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.9 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
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0DMN6068SE-13
型号:DMN6068SE-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.457681 |
10+: | ¥6.356785 |
100+: | ¥4.750424 |
500+: | ¥3.73263 |
1000+: | ¥2.884229 |
2000+: | ¥2.62984 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.46