货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥9.341539 | ¥9341.54 |
2000 | ¥8.87448 | ¥17748.96 |
5000 | ¥8.540846 | ¥42704.23 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 115 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB100N04S4-H2 SP000711274
单位重量 4 g
购物车
0IPB100N04S4H2ATMA1
型号:IPB100N04S4H2ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥9.341539 |
2000+: | ¥8.87448 |
5000+: | ¥8.540846 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00