货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥4.860997 | ¥14582.99 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 55 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 105 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SQJ886EP-T1_GE3
型号:SQJ886EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.860997 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00