SQJ886EP-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQJ886EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：1
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.192284 | ￥21.19 |
| 10 | ￥18.943835 | ￥189.44 |
| 100 | ￥14.767405 | ￥1476.74 |
| 500 | ￥12.199262 | ￥6099.63 |
| 1000 | ￥9.63086 | ￥9630.86 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 55 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 105 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ886EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ886EP-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQJ886EP-T1_GE3
数据手册PDF。
SQJ886EP-T1_GE3
型号：SQJ886EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.192284 |
| 10+： | ￥18.943835 |
| 100+： | ￥14.767405 |
| 500+： | ￥12.199262 |
| 1000+： | ￥9.63086 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.19