
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥12.632687 | ¥12632.69 |
| 2000 | ¥11.895015 | ¥23790.03 |
| 5000 | ¥11.412059 | ¥57060.29 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 250 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 120 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB015N04N G SP000391522
单位重量 4 g
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0IPB015N04NGATMA1
型号:IPB015N04NGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥12.632687 |
| 2000+: | ¥11.895015 |
| 5000+: | ¥11.412059 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00