
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.85047 | ¥14.85 |
| 10 | ¥13.342036 | ¥133.42 |
| 25 | ¥12.588989 | ¥314.72 |
| 100 | ¥9.819434 | ¥981.94 |
| 250 | ¥9.567912 | ¥2391.98 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF5210LPBF SP001564364
单位重量 2.387 g
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0IRF5210LPBF
型号:IRF5210LPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.85047 |
| 10+: | ¥13.342036 |
| 25+: | ¥12.588989 |
| 100+: | ¥9.819434 |
| 250+: | ¥9.567912 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥14.85