货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥32.566567 | ¥32.57 |
10 | ¥29.274742 | ¥292.75 |
100 | ¥23.986015 | ¥2398.60 |
500 | ¥20.418746 | ¥10209.37 |
1000 | ¥17.9382 | ¥17938.20 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 104 A
漏源电阻 9.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 77 nC
耗散功率 380 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 39 ns
正向跨导(Min) 97 S
上升时间 73 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB4115PBF SP001565902
单位重量 2 g
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0IRFB4115PBF
型号:IRFB4115PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥32.566567 |
10+: | ¥29.274742 |
100+: | ¥23.986015 |
500+: | ¥20.418746 |
1000+: | ¥17.9382 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥32.57