
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥25.85391 | ¥25.85 |
| 10 | ¥17.547003 | ¥175.47 |
| 100 | ¥12.400697 | ¥1240.07 |
| 500 | ¥10.10842 | ¥5054.21 |
| 1000 | ¥9.359575 | ¥9359.57 |
| 2000 | ¥8.916999 | ¥17834.00 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 123 A
漏源电阻 2.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 55 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ0501NSI SP001281638
单位重量 38.760 mg
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0BSZ0501NSIATMA1
型号:BSZ0501NSIATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥25.85391 |
| 10+: | ¥17.547003 |
| 100+: | ¥12.400697 |
| 500+: | ¥10.10842 |
| 1000+: | ¥9.359575 |
| 2000+: | ¥8.916999 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.85