
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.14987 | ¥3449.61 |
| 6000 | ¥1.075716 | ¥6454.30 |
| 15000 | ¥1.001498 | ¥15022.47 |
| 30000 | ¥0.949571 | ¥28487.13 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
工作频率 85 GHz
击穿电压(集电极-发射极) 2.25 V
发射极 - 基极电压 2.6 V
集电极连续电流 35 mA
配置 Dual
耗散功率 75 mW
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Silicon Germanium
零件号别名 BFP 840FESD H6327 SP000977846
单位重量 1.800 mg
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0BFP840FESDH6327XTSA1
型号:BFP840FESDH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.14987 |
| 6000+: | ¥1.075716 |
| 15000+: | ¥1.001498 |
| 30000+: | ¥0.949571 |
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