货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.354966 | ¥6.35 |
10 | ¥5.432874 | ¥54.33 |
25 | ¥5.064037 | ¥126.60 |
100 | ¥4.052227 | ¥405.22 |
250 | ¥3.763138 | ¥940.78 |
500 | ¥3.183962 | ¥1591.98 |
1000 | ¥2.460494 | ¥2460.49 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
工作频率 85 GHz
击穿电压(集电极-发射极) 2.25 V
发射极 - 基极电压 2.6 V
集电极连续电流 35 mA
配置 Dual
耗散功率 75 mW
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Silicon Germanium
零件号别名 BFP 840FESD H6327 SP000977846
单位重量 1.800 mg
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0BFP840FESDH6327XTSA1
型号:BFP840FESDH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.354966 |
10+: | ¥5.432874 |
25+: | ¥5.064037 |
100+: | ¥4.052227 |
250+: | ¥3.763138 |
500+: | ¥3.183962 |
1000+: | ¥2.460494 |
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