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IAUS165N08S5N029ATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IAUS165N08S5N029ATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 52.814441 52.81
10 47.452099 474.52
100 38.874665 3887.47
500 33.093275 16546.64

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 80 V

漏极电流 165 A

漏源电阻 4.4 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.2 V

栅极电荷 90 nC

耗散功率 167 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 29 ns

上升时间 9 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 23 ns

典型接通延迟时间 13 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IAUS165N08S5N029 SP001643350

单位重量 771.020 mg

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IAUS165N08S5N029ATMA1

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型号:IAUS165N08S5N029ATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥52.814441
10+: ¥47.452099
100+: ¥38.874665
500+: ¥33.093275

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