货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥28.418855 | ¥28.42 |
10 | ¥25.484299 | ¥254.84 |
25 | ¥24.094246 | ¥602.36 |
100 | ¥19.275397 | ¥1927.54 |
250 | ¥18.204541 | ¥4551.14 |
500 | ¥17.133686 | ¥8566.84 |
1000 | ¥14.670719 | ¥14670.72 |
2500 | ¥14.456548 | ¥36141.37 |
5000 | ¥13.171522 | ¥65857.61 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5.5 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 7.5 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 22 ns
高度 16 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Polar Power MOSFET HiPerFET
单位重量 4 g
购物车
0IXFA12N50P
型号:IXFA12N50P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.418855 |
10+: | ¥25.484299 |
25+: | ¥24.094246 |
100+: | ¥19.275397 |
250+: | ¥18.204541 |
500+: | ¥17.133686 |
1000+: | ¥14.670719 |
2500+: | ¥14.456548 |
5000+: | ¥13.171522 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.42