货期:(7~10天)
起订量:1
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.479574 | ¥6.48 |
10 | ¥5.594863 | ¥55.95 |
25 | ¥5.223534 | ¥130.59 |
100 | ¥4.179325 | ¥417.93 |
250 | ¥3.880766 | ¥970.19 |
500 | ¥3.283649 | ¥1641.82 |
1000 | ¥2.537501 | ¥2537.50 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
工作频率 60 GHz
击穿电压(集电极-发射极) 3.25 V
发射极 - 基极电压 4.1 V
集电极连续电流 40 mA
直流电流增益(Max) 450
耗散功率 120 mW
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Silicon Germanium
零件号别名 BFP 842ESD H6327 SP000943012
单位重量 7 mg
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0BFP842ESDH6327XTSA1
型号:BFP842ESDH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.479574 |
10+: | ¥5.594863 |
25+: | ¥5.223534 |
100+: | ¥4.179325 |
250+: | ¥3.880766 |
500+: | ¥3.283649 |
1000+: | ¥2.537501 |
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单价:¥0.00总价:¥6.48