货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.573226 | ¥6.57 |
10 | ¥5.675728 | ¥56.76 |
25 | ¥5.299031 | ¥132.48 |
100 | ¥4.239731 | ¥423.97 |
250 | ¥3.936857 | ¥984.21 |
500 | ¥3.331109 | ¥1665.55 |
1000 | ¥2.574178 | ¥2574.18 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
工作频率 80 GHz
击穿电压(集电极-发射极) 2.25 V
发射极 - 基极电压 2.9 V
集电极连续电流 35 mA
配置 Single
耗散功率 75 mW
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Silicon Germanium
零件号别名 BFP 840ESD H6327 SP000943010
单位重量 6.400 mg
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0BFP840ESDH6327XTSA1
型号:BFP840ESDH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
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1+: | ¥6.573226 |
10+: | ¥5.675728 |
25+: | ¥5.299031 |
100+: | ¥4.239731 |
250+: | ¥3.936857 |
500+: | ¥3.331109 |
1000+: | ¥2.574178 |
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