货期:(7~10天)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥13.246111 | ¥13246.11 |
2000 | ¥12.583848 | ¥25167.70 |
5000 | ¥12.11075 | ¥60553.75 |
10000 | ¥11.709751 | ¥117097.51 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 120 mA
漏源电阻 30 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 3.7 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 182 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 5.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSP135 H6906 SP001058594
单位重量 112 mg
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0BSP135H6906XTSA1
型号:BSP135H6906XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥13.246111 |
2000+: | ¥12.583848 |
5000+: | ¥12.11075 |
10000+: | ¥11.709751 |
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