SIR112DP-T1-RE3
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- 制造商编号：
- SIR112DP-T1-RE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 40V
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.830402 | ￥16.83 |
| 10 | ￥14.996468 | ￥149.96 |
| 100 | ￥11.696549 | ￥1169.65 |
| 500 | ￥9.662276 | ￥4831.14 |
| 1000 | ￥7.628234 | ￥7628.23 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 133 A
漏源电阻 1.96 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 59 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 151 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIR112DP-T1-RE3 同类别型号
注
SIR112DP-T1-RE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIR112DP-T1-RE3、查询SIR112DP-T1-RE3代理商；
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替代型号
、SIR112DP-T1-RE3
数据手册PDF。
SIR112DP-T1-RE3
型号：SIR112DP-T1-RE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.830402 |
| 10+： | ￥14.996468 |
| 100+： | ￥11.696549 |
| 500+： | ￥9.662276 |
| 1000+： | ￥7.628234 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.83